Фотоприемник ультрафиолетового диапазона на структуре ZnS-ZnO с поверхностной акустической волной

Григорьев Л.В., Шакин О.В., Нефедов В.Г., Михайлов А.В.

Полный текст на elibrary.ru

Публикация в Journal of Optical Technology

Ссылка для цитирования:

Григорьев А.В., Шакин О.В., Нефёдов В.Г., Михайлов А.В. Фотоприемник ультрафиолетового диапазона на структуре ZnS-ZnO с поверхностной акустической волной // Оптический журнал. 2019. Т. 86. № 3. С. 68–71. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2019-86-03-68-71

Grigoriev A.V., Shakin O.V., Nefedov V.G., Mikhailov A.V. Ultraviolet photodetector based on a ZnS–ZnO structure with a surface acoustic wave [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2019. V. 86. № 3. P. 68–71. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2019-86-03-68-71

Ссылка на англоязычную версию:

A. V. Grigoryev, O. V. Shakin, V. G. Nefedov, and A. V. Mikhaĭlov, "Ultraviolet photodetector based on a ZnS–ZnO structure with a surface acoustic wave," Journal of Optical Technology. 86(3), 183-186 (2019). https://doi.org/10.1364/JOT.86.000183

Аннотация:

Проведено исследование структурных свойств тонкой пленки ZnO, синтезированной реактивным ионно-плазменным методом. Показано, что совместное применение методов реактивного ионно-плазменного напыления и импульсного электронно-лучевого напыления позволяет сформировать тонкопленочную гетероструктуру ZnS-ZnО с малыми структурными дефектами. Представлены результаты исследования оптических и фотоэлектрических свойств ZnS-ZnО в диапазоне длин волн от 0,26 до 0,45 мкм. Проведены исследования спектральной зависимости частотного сдвига поверхностных акустических волн при воздействии ультрафиолетового излучения на поверхность гетероструктуры ZnS-ZnО фотоприемника, созданного на основе акустоэлектронного усилителя.

Ключевые слова:

оксид цинка, гетероструктура ZnS-ZnO, фототок, ионно-плазменное напыление, импульсное электронно-лучевое напыление, акустоэлектронный усилитель

Благодарность:

Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (№ 16-07 – 00237).

Коды OCIS: 250.0250, 300.0300, 310.0310, 160.0160

Список источников:

1. Blank T.V., Goldenberg U.A. Semiconductor photoelectrosensor for ultraviolet spectral range // Semiconductors. 2003. V. 37. № 9. P. 1025–1055.
2. Wei C.L., Chen Y.E., Cheng C.C., and et al. UV sensing using film bulk acoustic resonators based on Au/n-ZnO/piezoelectric-ZnO/Al structure // Thin Solid Films. 2010. V. 518. № 11. P. 3059–3062.
3. Grigoryev L.V., Nefedov V.G., Shakin O.V., Mikhailov A.V., Eliseev E.N. Study of the structural and optical properties of thin polycrystalline zinc-oxide films obtained by the ion-plasma method // JOT. 2015.V. 82. № 5. P. 315–318.
4. Вейко В.П. Лазерная обработка пленочных элементов. Л.: Машиностроение, 1986. 246 с.
5. Григорьев Л.В., Михайлов А.В. Фотолюминесценция и фотопроводимость тонкого слоя окисленного нанопористого кремния, легированного ионами эрбия // Оптический журнал. 2015. Т. 82. № 11. C. 79–84.
6. Wen-Che Tsai, Hui-ling Kao, Kun-Hsu Liao, Yu-Hao Liu, et al. Room temperature fabrication of ZnO/ST-cut quartz SAW UV photodetector with small temperature coefficient // Opt. Exp. 2015. V. 23. № 3. P. 2187–2194.