ITMO
en/ en

ISSN: 1023-5086

en/

ISSN: 1023-5086

Научно-технический

Оптический журнал

Полнотекстовый перевод журнала на английский язык издаётся Optica Publishing Group под названием “Journal of Optical Technology“

Подача статьи Подать статью
Больше информации Назад

Андрюшкин Владислав Васильевич

Место работы
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия

E-mail: vvandriushkin@itmo.ru

ScopusID: 57209329441

ORCID: 0000-0002-7471-8627

Статьи

Андрюшкин В.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Неведомский В.Н., Папылев Д.С., Колодезный Е.С., Карачинский Л.Я., Егоров А.Ю. Оптические свойства квантовых точек InGaP(As) в гетероструктурах GaAs/AlGaAs/InGaP/InGaAs // Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 6. С. 30–38. http://doi.org/ 10.17586/1023-5086-2024-91-06-30-38

 

Andryushkin V.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Nevedomsky V.N., Papylev D.S., Kolodeznyi E.S., Karachinsky L.Ya., Egorov A.Yu. Optical properties of InGaP(As) quantum dots in GaAs/AlGaAs/InGaP/InGaAs heterostructures // Opticheskii Zhurnal. 2024. V. 91. № 6. P. 30–38. http://doi.org/ 10.17586/1023-5086-2024-91-06-30-38

Аннотация

Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Кулагина М.М., Гусева Ю.А., Васильев А.П., Блохин С.А., Бобров М.А., Трошков С.И., Андрюшкин В.В., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Устинов В.М. Лавинные фотодиоды на гетероструктурах InAlAs/InGaAs с сульфидно-полиамидной пассивацией меза-структуры // Оптический журнал. 2022. Т. 89. № 11. С. 54–60. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2022-89-11-54-60

 

Maleev N.A., Kuzmenkov A.G., Kulagina M.M., Guseva Yu.A., Vasiljev A.P., Blokhin S.A., Bobrov M.A., Troshkov S.I., Andryushkin V.V., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Ustinov V.M. Avalanche photodiodes based on InAlAs/InGaAs heterostructures with sulfide–polyamide passivation of mesa structures [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2022. V. 89. № 11. P. 54–60. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2022-89-11-54-60

Аннотация

Андрюшкин В.В., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Колодезный Е.С., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Рочас С.С., Малеев Н.А., Хвостиков В.П., Бер Б.Я., Кузьменков А.Г., Кижаев С.С., Бугров В.Е. Исследование процесса диффузии цинка в эпитаксиальные слои фосфида индия и индия галлия арсенида, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии // Оптический журнал. 2021. Т. 88. № 12. С. 87–92. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2021-88-12-87-92

 

Andryushkin V.V., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Kolodezniy E.S., Novikov I.I., Karachinskiy L.Ya., Rochas S.S., Maleev N.A., Khvostikov V.P., Ber B.Ya., Kuzmenkov A.G., Kizhaev S.S., Bougrov V.E. Investigation of the zinc diffusion process into epitaxial layers of indium phosphide and indium-gallium arsenide grown by molecular beam epitaxy [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2021. V. 88. № 12. P. 87–92. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2021-88-12-87-92

Аннотация