ITMO
en/ en

ISSN: 1023-5086

en/

ISSN: 1023-5086

Научно-технический

Оптический журнал

Полнотекстовый перевод журнала на английский язык издаётся Optica Publishing Group под названием “Journal of Optical Technology“

Подача статьи Подать статью
Больше информации Назад

Васильев Владимир Васильевич

Кандидат физико-математических наук

Место работы
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия

ScopusID: 7005989572

ORCID: 0000-0002-0066-7898

Статьи

Стучинский В.А., Вишняков А.В., Васильев В.В. Частотно-контрастная характеристика и эффективная длина диффузии фотогенерированных носителей заряда в фотоприёмных матрицах на основе материала кадмий-ртуть-теллур с разными значениями геометрических параметров // Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 2. С. 59–66. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-59-66

 

Stuchinsky V.A., Vishnyakov A.V., Vasiliev V.V. Modulation transfer function and effective diffusion length of photogenerated charge carriers in mercury-cadmium-telluride focal-plane diode arrays with different values of geometric parameters [In Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2024. V. 91. № 2. P. 59–56. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-59-66

Аннотация

Васильев В.В., Вишняков А.В., Сабинина И.В., Сидоров Г.Ю., Стучинский В.А. Влияние охранных сеточных диодов с плавающим потенциалом n-области на пространственное разрешение n-на-p линейных HgCdTe-фотоприёмников // Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 2. С. 67–75. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-67-75

 

Vasiliev V.V., Vishnyakov A.V., Sabinina I.V., Sidorov G.Yu., Stuchinsky V.A. The influence of grid guard diodes with a floating n-region potential on the spatial resolution of n-on-p linear HgCdTe photodetectors [In Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2024. V. 91. № 2. P. 67–75. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-67-75

Аннотация

Васильев В.В., Козлов А.И., Марчишин И.В., Сидоров Ю.Г., Якушев М.В. Анализ структурно-технологических ограничений в кремниевых схемах считывания сигналов фотодиодов инфракрасного диапазона // Оптический журнал. 2014. Т. 81. № 7. С. 39–45.

 

Vasiliev V.V., Kozlov A.I., Marchishin I.V., Sidorov Yu.G., Yakushev M.V. Analysis of structural–technological limitations in silicon circuits for reading photodiode signals in the IR region [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2014. V. 81. № 7. P. 39–45.

Аннотация

Васильев В.В., Овсюк В.Н., Шашкин В.В., Асеев А.Л. Инфракрасные фотоприемные модули на варизонных слоях КРТ и на структурах с квантовыми ямами GaAs/AIGaAs // Оптический журнал. 2005. Т.72. №6 С. 63-69.

 

Vasil'ev V.V., Ovsyuk V.N., Shashkin V.V., Aseev A.L. Infrared photodetector modules based on variband layers of HgCdTe and on structures with GaAs/AlGaAs quantum wells [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2004. V. 72. No 6. P. 63-69.

Аннотация