Инфракрасные фотоприемные модули на варизонных слоях КРТ и на структурах с квантовыми ямами GaAs/AIGaAs

Васильев В.В., Овсюк В.Н., Шашкин В.В., Асеев А.Л. Инфракрасные фотоприемные модули на варизонных слоях КРТ и на структурах с квантовыми ямами GaAs/AIGaAs // Оптический журнал. 2005. Т.72. №6 С. 63-69.

Vasil'ev V.V., Ovsyuk V.N., Shashkin V.V., Aseev A.L. Infrared photodetector modules based on variband layers of HgCdTe and on structures with GaAs/AlGaAs quantum wells [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2005. V. 72. No 6. P. 63-69.

Vasil'ev V.V., Ovsyuk V.N., Shashkin V.V., Aseev A.L. Infrared photodetector modules based on variband layers of HgCdTe and on structures with GaAs/AlGaAs quantum wells // Journal of Optical Technology. 2005. V. 72. № 6. P. 474-479. https://doi.org/10.1364/JOT.72.000474

Разработана технология производства линейчатых и матричных фотоприемных модулей (ФПМ), включающая изготовление фотоприемных структур на основе гетероэпитаксиальных слоев Cd_xHg_1-xТе и GaAs/AlGaAs, выращенных посредством метода молекулярно-лучевой эпитаксии, изготовление матричных и линейчатых кремниевых мультиплексоров гибридную сборку ФПM, состоящего из фотоприемной структуры и мультиплексора, с помощью индиевых микростолбов. Приведены фотоэлектрические параметры матричных и линейчатых ФПМ на основе фотодиодов для среднего (3-5,5 мкм) и дальнего (8-12 мкм) ИК диапазонов, работающих при температуре 78-80 K и 200-220 К.