Andryushkin, Vladislav V.

Копытов П.Е., Бабичев А.В., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Андрюшкин В.В., Гладышев А.Г., Папылев Д.С., Воропаев К.О., Блохин С.А., Ковач Я.Н., Тиэн С.-С., Бимберг Д., Егоров А.Ю. Максимальный КПД одночастотных вертикально-излучающих лазеров, излучающих на длине волн вблизи 1300 нм // Оптический журнал. 2025. Т. 92. № 12. С. 12–20. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2025-92-12-12-20

Kopytov P.E., Babichev A.V., Karachinsky L.Ya., Novikov I.I., Andryushkin V.V., Gladyshev A.G., Papylev D.S., Voropaev K.O., Blokhin S.A., Kovach Ya.N., Tian S.-C., Bimberg D., Egorov A.Yu. Maximum wall-plug efficiency of 1300 nm single-frequency vertical-cavity surface emitting lasers [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2025. V. 92. № 12. P. 12–20. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2025-92-12-12-20

Андрюшкин В.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Неведомский В.Н., Папылев Д.С., Колодезный Е.С., Карачинский Л.Я., Егоров А.Ю. Оптические свойства квантовых точек InGaP(As) в гетероструктурах GaAs/AlGaAs/InGaP/InGaAs // Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 6. С. 30–38. http://doi.org/ 10.17586/1023-5086-2024-91-06-30-38

Andryushkin V.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Nevedomsky V.N., Papylev D.S., Kolodeznyi E.S., Karachinsky L.Ya., Egorov A.Yu. Optical properties of InGaP(As) quantum dots in GaAs/AlGaAs/InGaP/InGaAs heterostructures // Opticheskii Zhurnal. 2024. V. 91. № 6. P. 30–38. http://doi.org/ 10.17586/1023-5086-2024-91-06-30-38

Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Кулагина М.М., Гусева Ю.А., Васильев А.П., Блохин С.А., Бобров М.А., Трошков С.И., Андрюшкин В.В., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Устинов В.М. Лавинные фотодиоды на гетероструктурах InAlAs/InGaAs с сульфидно-полиамидной пассивацией меза-структуры // Оптический журнал. 2022. Т. 89. № 11. С. 54–60. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2022-89-11-54-60

Maleev N.A., Kuzmenkov A.G., Kulagina M.M., Guseva Yu.A., Vasiljev A.P., Blokhin S.A., Bobrov M.A., Troshkov S.I., Andryushkin V.V., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Ustinov V.M. Avalanche photodiodes based on InAlAs/InGaAs heterostructures with sulfide–polyamide passivation of mesa structures [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2022. V. 89. № 11. P. 54–60. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2022-89-11-54-60

Андрюшкин В.В., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Колодезный Е.С., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Рочас С.С., Малеев Н.А., Хвостиков В.П., Бер Б.Я., Кузьменков А.Г., Кижаев С.С., Бугров В.Е. Исследование процесса диффузии цинка в эпитаксиальные слои фосфида индия и индия галлия арсенида, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии // Оптический журнал. 2021. Т. 88. № 12. С. 87–92. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2021-88-12-87-92

Andryushkin V.V., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Kolodezniy E.S., Novikov I.I., Karachinskiy L.Ya., Rochas S.S., Maleev N.A., Khvostikov V.P., Ber B.Ya., Kuzmenkov A.G., Kizhaev S.S., Bougrov V.E. Investigation of the zinc diffusion process into epitaxial layers of indium phosphide and indium-gallium arsenide grown by molecular beam epitaxy [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2021. V. 88. № 12. P. 87–92. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2021-88-12-87-92