Gusarov, A. V.

Филатов А.В., Сусов Е.В., Гусаров А.В., Карпов В.В. Фоторезисторы с эксклюзией носителей заряда для спектрального диапазона 3–5 мкм из гетероэпитаксиальных структур n – Cd_xHg_1-xTe// Оптический журнал. 2020. Т. 87. № 12. С. 103 –110. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2020-87-12-103-110

Гусаров А.В., Филатов А.В., Сусов Е.В., Карпов В.В., Гиндин П.Д. Фоторезисторы с радиальным смещением из гетероэпитаксиальных структур CdxHg1–xTe  // Оптический журнал. 2019. Т. 86. № 2. С. 55–61. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2019-86-02-55-61

Gusarov A.V., Filatov A.V., Susov E.V., Karpov V.V., Gindin P.D. Radially biased photoresistors with heteroepitaxial CdxHg1−xTe structure [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2019. V. 86. № 2. P. 55–61. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2019-86-02-55-61 

Филатов А.В., Сусов Е.В., Гусаров А.В., Акимова Н.М., Крапухин В.В., Карпов В.В., Шаевич В.И. Долговременная стабильность фоторезисторов спектрального диапазона 8–12 мкм, изготовленных из гетероэпитаксиальных структур CdHgTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 12. С. 49–54.

Filatov A.V., Susov E.V., Gusarov A.V., Akimova N.M., Krapukhin V.V., Karpov V.V., Shaevich V.I. Long-term stability of photoresistors for the spectral range 8–12μm, fabricated from heteroepitaxial CdHgTe structures obtained by molecular-beam epitaxy [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2009. V. 76. № 12. P. 49–54.