Vasiliev, Vladimir V.

Васильев В.В., Вишняков А.В., Сабинина И.В., Сидоров Г.Ю., Стучинский В.А. Влияние охранных сеточных диодов с плавающим потенциалом n-области на пространственное разрешение n-на-p линейных HgCdTe-фотоприёмников // Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 2. С. 67–75. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-67-75

Vasiliev V.V., Vishnyakov A.V., Sabinina I.V., Sidorov G.Yu., Stuchinsky V.A. The influence of grid guard diodes with a floating n-region potential on the spatial resolution of n-on-p linear HgCdTe photodetectors [In Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2024. V. 91. № 2. P. 67–75. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-67-75

Стучинский В.А., Вишняков А.В., Васильев В.В. Частотно-контрастная характеристика и эффективная длина диффузии фотогенерированных носителей заряда в фотоприёмных матрицах на основе материала кадмий-ртуть-теллур с разными значениями геометрических параметров // Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 2. С. 59–66. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-59-66

Stuchinsky V.A., Vishnyakov A.V., Vasiliev V.V. Modulation transfer function and effective diffusion length of photogenerated charge carriers in mercury-cadmium-telluride focal-plane diode arrays with different values of geometric parameters [In Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2024. V. 91. № 2. P. 59–56. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-59-66

Васильев В.В., Козлов А.И., Марчишин И.В., Сидоров Ю.Г., Якушев М.В. Анализ структурно-технологических ограничений в кремниевых схемах считывания сигналов фотодиодов инфракрасного диапазона // Оптический журнал. 2014. Т. 81. № 7. С. 39–45.

Vasiliev V.V., Kozlov A.I., Marchishin I.V., Sidorov Yu.G., Yakushev M.V. Analysis of structural–technological limitations in silicon circuits for reading photodiode signals in the IR region [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2014. V. 81. № 7. P. 39–45.

Якушев М.В., Васильев В.В., Дегтярев Е.В., Дворецкий С.А., Козлов А.И., Новоселов А.Р., Сидоров Ю.Г., Фомин Б.И., Асеев А.Л. Исследование процессов формирования инфракрасного фотоприемника на основе CdHgTe в монолитном исполнении // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 12. С. 55–62.

Yakushev M.V., Vasiliev V.V., Degtyarev E.V., Dvoretskiy S.A., Kozlov A.I., Novoselov A.R., Sidorov Yu.G., Fomin B.I., Aseev A.L. Investigating processes for forming an infrared CdHgTe-based photodetector in a monolithic version [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2009. V. 76. № 12. P. 55–62.

Васильев В.В., Предеин А.В., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Рева В.П., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Сизов Ф.Ф., Сусляков А.О., Асеев А.Л. Линейчатый фотоприемник формата 288×4 с двунаправленным режимом временной задержки и накопления // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 12. С. 30–35.

Vasiliev V.V., Predein A.V., Varavin V.S., Mikhailov N.N., Dvoretskiy S.A., Reva V.P., Sabinina I.V., Sidorov Yu.G., Sizov F.F., Suslyakov A.O., Aseev A.L. Linear 288×4-format photodetector with a bidirectional time-delay-and-storage regime [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2009. V. 76. № 12. P. 30–35.

Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Марчишин И.В., Михайлов Н.Н., Предеин А.В., Ремесник В.Г., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Сусляков А.О. Матричные фотоприемники 320×256 со встроенным коротковолновым отрезающим фильтром // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 12. С. 36–41.

Vasiliev V.V., Varavin V.S., Dvoretskiy S.A., Marchishin I.V., Mikhailov N.N., Predein A.V., Remesnik V.G., Sabinina I.V., Sidorov Yu.G., Suslyakov A.O. 320×256 photodetector arrays with a built-in short-wavelength cutoff filter [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2009. V. 76. № 12. P. 36–41.

Андреева Е.В., Варавин В.С., Васильев В.В., Гуменюк-Сычевская Ж.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Цибрий З.Ф., Сизов Ф.Ф. Сравнение токовых характеристик фотодиодов, сформированных на пленках CdHgTe, выращенных методами молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии, для спектрального диапазона 8–12 мкм // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 12. С. 42–48.

Andreeva E.V., Varavin V.S., Vasiliev V.V., Gumenyuk-Sychevskaya Zh.V., Dvoretskiy S.A., Mikhailov N.N., Tsibriy Z.F., Sizov F.F. Comparison of the current characteristics of photodiodes formed on CdHgTe films grown by molecular-beam and liquid-phase epitaxy for the 8–12-μm spectral range [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2009. V. 76. № 12. P. 42–48.

Васильев В.В., Овсюк В.Н., Шашкин В.В., Асеев А.Л. Инфракрасные фотоприемные модули на варизонных слоях КРТ и на структурах с квантовыми ямами GaAs/AIGaAs // Оптический журнал. 2005. Т.72. №6 С. 63-69.

Vasil'ev V.V., Ovsyuk V.N., Shashkin V.V., Aseev A.L. Infrared photodetector modules based on variband layers of HgCdTe and on structures with GaAs/AlGaAs quantum wells [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2005. V. 72. No 6. P. 63-69.