Dvoretskiy, Sergey A.

Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В. Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе HgCdTe nBn со сверхрешёткой в барьерной области // Оптический журнал. 2024. Т. 91 № 10. С. 3–14. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-10-3-14

Voitsekhovskii1 A.V., Dzyadukh S.M., Gorn D.I., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A., Sidorov G.Yu., Yakushev M.V. Photoelectric properties of MIS structures based on HgCdTe nBn with a superlattice in the barrier region [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2024. V. 91. № 10. P. 3–14. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-10-3-14

Михайлов Н.Н., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Менщиков Р.В., Ремесник В.Г., Ужаков И.Н. Рост и характеризация nBn-структур на основе Сd_хHg_1–хTe для фотоприёмников спектрального диапазона 3–5 мкм // Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 2. С. 76–87. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-76-87

Mikhailov N.N., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Menshchikov R.V., Remesnik Vl.G., Uzhakov I.N. Growth and characterization of nBn structures based on Cd_xHg_1–xTe for photodetectors in the 3–5 µm spectral range [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2024. V. 91. № 2. P. 76–87. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-76-87

Ступак М.Ф., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Макаров С.Н., Елесин А.Г. Локальный контроль и измерение слабых напряжений на поверхности структур (013)HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs с помощью генерации второй гармоники // Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 2. С. 88–98. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-88-98

Stupak M.F., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Makarov S.N., Elesin A.G. Local control and measurement of weak stresses on the surface of (013)HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs structures using second harmonic generation [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2024. V. 91. № 2. P. 88–98. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-90-05-88-98

Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В. Униполярные барьерные структуры на основе n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера. Обзор // Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 2. С. 6–22. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-6-22

Voitsekhovskii A.V., Dzyadukh S.M., Gorn D.I., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A., Sidorov G.Yu., Yakushev M.V. Unipolar barrier structures based on n-HgCdTe with superlattices as a barrier. Review [In Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2023. V. 91. № 2. P. 6–22. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-6-22

Дворецкий С.А., Квон З.Д., Михайлов Н.Н., Швец В.А., Виттман Б., Данилов С.Н., Ганичев С.Д., Асеев А.Л. Наноструктуры на основе CdHgTe для фотоприемников // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 12. С. 69–73.

Dvoretskiy S.A., Kvon Z.D., Mikhailov N.N., Shvets V.A., Wittmann B., Danilov S.N., Ganichev S.D., Aseev A.L. CdHgTe-based nanostructures for photodetectors [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2009. V. 76. № 12. P. 69–73.

Васильев В.В., Предеин А.В., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Рева В.П., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Сизов Ф.Ф., Сусляков А.О., Асеев А.Л. Линейчатый фотоприемник формата 288×4 с двунаправленным режимом временной задержки и накопления // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 12. С. 30–35.

Vasiliev V.V., Predein A.V., Varavin V.S., Mikhailov N.N., Dvoretskiy S.A., Reva V.P., Sabinina I.V., Sidorov Yu.G., Sizov F.F., Suslyakov A.O., Aseev A.L. Linear 288×4-format photodetector with a bidirectional time-delay-and-storage regime [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2009. V. 76. № 12. P. 30–35.

Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Марчишин И.В., Михайлов Н.Н., Предеин А.В., Ремесник В.Г., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Сусляков А.О. Матричные фотоприемники 320×256 со встроенным коротковолновым отрезающим фильтром // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 12. С. 36–41.

Vasiliev V.V., Varavin V.S., Dvoretskiy S.A., Marchishin I.V., Mikhailov N.N., Predein A.V., Remesnik V.G., Sabinina I.V., Sidorov Yu.G., Suslyakov A.O. 320×256 photodetector arrays with a built-in short-wavelength cutoff filter [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2009. V. 76. № 12. P. 36–41.

Андреева Е.В., Варавин В.С., Васильев В.В., Гуменюк-Сычевская Ж.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Цибрий З.Ф., Сизов Ф.Ф. Сравнение токовых характеристик фотодиодов, сформированных на пленках CdHgTe, выращенных методами молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии, для спектрального диапазона 8–12 мкм // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 12. С. 42–48.

Andreeva E.V., Varavin V.S., Vasiliev V.V., Gumenyuk-Sychevskaya Zh.V., Dvoretskiy S.A., Mikhailov N.N., Tsibriy Z.F., Sizov F.F. Comparison of the current characteristics of photodiodes formed on CdHgTe films grown by molecular-beam and liquid-phase epitaxy for the 8–12-μm spectral range [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2009. V. 76. № 12. P. 42–48.

Якушев М.В., Васильев В.В., Дегтярев Е.В., Дворецкий С.А., Козлов А.И., Новоселов А.Р., Сидоров Ю.Г., Фомин Б.И., Асеев А.Л. Исследование процессов формирования инфракрасного фотоприемника на основе CdHgTe в монолитном исполнении // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 12. С. 55–62.

Yakushev M.V., Vasiliev V.V., Degtyarev E.V., Dvoretskiy S.A., Kozlov A.I., Novoselov A.R., Sidorov Yu.G., Fomin B.I., Aseev A.L. Investigating processes for forming an infrared CdHgTe-based photodetector in a monolithic version [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2009. V. 76. № 12. P. 55–62.