Yakushev, Maksim V.

Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В. Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе HgCdTe nBn со сверхрешёткой в барьерной области // Оптический журнал. 2024. Т. 91 № 10. С. 3–14. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-10-3-14

Voitsekhovskii1 A.V., Dzyadukh S.M., Gorn D.I., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A., Sidorov G.Yu., Yakushev M.V. Photoelectric properties of MIS structures based on HgCdTe nBn with a superlattice in the barrier region [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2024. V. 91. № 10. P. 3–14. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-10-3-14

Ружевич М.С., Мынбаев К.Д., Фирсов Д.Д., Комков О.С., Варавин В.С., Ремесник В.Г., Якушев М.В. Оптические свойства эпитаксиальных пленок HgCdTe, легированных мышьяком // Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 5. С. 33–42. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-05-33-42

Ruzhevich M.S., Mynbaev K.D., Firsov D.D., Komkov O.S., Varavin V.S., Remesnik V.G., Yakushev M.V. Optical properties of HgCdTe epitaxial films doped with arsenic [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2024. V. 91. № 5. P. 33–42. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-05-33-42

Швец В.А., Марин Д.В., Кузнецова Л.С., Азаров И.А., Якушев М.В., Рыхлицкий С.В. Анализ морфологии поверхности буферных слоёв CdTe с помощью эллипсометрии и интерференционной профилометрии для создания методики контроля роста буферных слоёв // Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 2. С. 50–58. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-50-58

Shvets V.A., Marin D.V., Kuznetsova L.S., Azarov I.A., Yakushev M.V., Rykhlitskii S.V. Surface morphology analysis of CdTe buffer layers using ellipsometry and interference profilometry to create a technique for monitoring the growth of buffer layers [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2024. Т. 91. № 2. С. 50–58. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-50-58

Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В. Униполярные барьерные структуры на основе n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера. Обзор // Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 2. С. 6–22. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-6-22

Voitsekhovskii A.V., Dzyadukh S.M., Gorn D.I., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A., Sidorov G.Yu., Yakushev M.V. Unipolar barrier structures based on n-HgCdTe with superlattices as a barrier. Review [In Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2023. V. 91. № 2. P. 6–22. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-6-22

Ружевич М.С., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Дорогов М.В., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Ужаков И.Н., Ремесник В.Г., Якушев М.В. Оптические свойства и разупорядочение плёнок HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 2. С. 23–33. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-23-33

Ruzhevich M.S., Mynbaev K.D, Bazhenov N.L., Dorogov M.V., Varavin V.S., Mikhailov N.N., Uzhakov I.N., Remesnik V.G., Yakushev M.V. Optical properties and disorder of HgCdTe films grown by molecular beam epitaxy [In Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2024. V. 91. № 2. P. 23–33. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-23-33

Васильев В.В., Козлов А.И., Марчишин И.В., Сидоров Ю.Г., Якушев М.В. Анализ структурно-технологических ограничений в кремниевых схемах считывания сигналов фотодиодов инфракрасного диапазона // Оптический журнал. 2014. Т. 81. № 7. С. 39–45.

Vasiliev V.V., Kozlov A.I., Marchishin I.V., Sidorov Yu.G., Yakushev M.V. Analysis of structural–technological limitations in silicon circuits for reading photodiode signals in the IR region [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2014. V. 81. № 7. P. 39–45.

Якушев М.В., Васильев В.В., Дегтярев Е.В., Дворецкий С.А., Козлов А.И., Новоселов А.Р., Сидоров Ю.Г., Фомин Б.И., Асеев А.Л. Исследование процессов формирования инфракрасного фотоприемника на основе CdHgTe в монолитном исполнении // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 12. С. 55–62.

Yakushev M.V., Vasiliev V.V., Degtyarev E.V., Dvoretskiy S.A., Kozlov A.I., Novoselov A.R., Sidorov Yu.G., Fomin B.I., Aseev A.L. Investigating processes for forming an infrared CdHgTe-based photodetector in a monolithic version [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2009. V. 76. № 12. P. 55–62.